11月28日消息，据德媒Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交平台发布的图片显示，台积电于本月25日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲站活动中，阐述了其对第一代定制HBM内存的观点。
和台积电的看法一样，美光首席商务官Sumit Sadana也觉得定制化HBM会在HBM4E时代正式实现，台积电把这类产品叫做C-HBM4E。
图片来源：Andreas Schilling
台积电在HBM4时代推出了两种不同的HBM基础裸片制程方案，一种是针对主流市场的N12FFC+，另一种则是致力于实现更高性能的N5。
在C-HBM4E方面，由于需要在基础裸片上集成MC（内存控制器）以达成节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案，其声称该方案能使能效达到HBM3E基础裸片的约2倍。此外，C-HBM4E的Vdd电压仅为0.75V，相比HBM4实现了进一步的降低。
