在2022年的CES大展上，AMD发布了搭载3D垂直缓存（3D V-Cache）技术的Zen 3架构处理器Ryzen 7 5800X3D，该技术为每个CCD额外配备了64MB的7nm SRAM缓存，让处理器的L3缓存容量从32MB提升至96MB，从而进一步增强了性能表现。在此后的几年中，AMD持续拓展X3D产品线，凭借优异的游戏性能，这类产品在DIY市场中变得备受青睐。
根据Wccftech的消息，AMD曾在一篇题为《平衡延迟堆叠缓存（Balanced Latency Stacked Cache）》的研究论文里，对未来芯片L2缓存引入3D堆叠技术的可能性展开探索，这种设计的延迟表现或许会比传统方案更出色。而在美国商标和专利局（USPTO）公开的信息中，与之对应的专利编号是“US20260003794A1”。
在第一代3D V-Cache技术中，AMD把CCX的朝向进行了翻转调整（从原本面向顶部改为面向底部），接着去除了顶部95%的硅材料，随后将3D垂直缓存芯片安装于该位置。而到了第二代3D V-Cache，AMD不仅对3D垂直缓存芯片本身做了优化改进，还将CCX与3D垂直缓存芯片的安装位置进行了互换。
AMD展示了一种多层堆叠的结构设计，基础芯片分别与计算模块及缓存模块相连，其上方支持叠加多层缓存。在给出的示例中，四组各512KB区域的缓存模块共同构成了2MB的L2缓存，此外还配备了一个CCC（缓存控制电路）。值得注意的是，L2缓存复合体具备按需扩展的能力，示例中显示它还可进一步扩展至4MB。
堆叠方式运用了和3D V-Cache一致的原理，借助硅通孔（TSV）把L2/L3堆叠与基础芯片、计算复合体连接起来，布置在堆叠缓存系统的中心垂直方向，而缓存控制电路则承担着数据输入输出的控制职责。
AMD以平面1MB和2MB的L2缓存配置为例，说明前者的典型延迟是14个周期，后者则为12个周期。而新方法不仅能为访问请求带来更低的延迟，让数据从数据缓存返回的速度更快，还因为周期缩短，能实现电力节省，同时减少热量的产生。
