在近日于韩国首尔举办的“HBF研究内容与技术开发战略说明会”上，有“HBM之父”之称的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩（Kim Jeong-ho）表示，计划明年推向市场的下一代NAND闪存产品——高带宽闪存（HBF），其市场规模预计在10年左右将超过目前AI半导体核心组件高带宽内存（HBM）。
金教授着重指出，伴随AI思维与推理能力的重要性日益凸显，以及人机交互从文本界面向语音界面的转变，对数据量的需求势必会呈现爆发式增长。在他看来，倘若说PC时代的核心在于中央处理器（CPU），智能手机时代的关键是低功耗性能，那么AI时代的核心无疑是内存——“HBM关乎运算速度，HBF决定存储容量”。
HBF是一种借助垂直堆叠技术来大幅提升容量的内存，其堆叠方式与HBM相似，而它堆叠的对象主要是用于长期存储的NAND闪存。随着AI智能体服务的不断拓展，作为长期记忆载体的“键-值”（KV）缓存内存的重要性愈发突出，以往由HBM所承担的这部分角色，正慢慢过渡到由NAND内存来负责。
在这场说明会上，金教授介绍了采用HBF的下一代内存架构方案——比如在GPU的两侧分别配备4个HBM和HBF，从而达成总计96GB的HBM容量与2TB的HBF容量。他还打了个生动的比方：“HBM就像书架，HBF则如同图书馆”，前者能让人立刻拿到需要的资料，后者虽然速度稍慢一些，却可以一次性存放更多资料。
金教授表示，仅依赖HBM难以满足呈爆发式增长的需求，行业势必将采用HBF技术。他还提到，随着CPU、GPU与内存整合于单一基础芯片的内存中心计算（MCC）架构落地，HBF的需求量会进一步上升，并且预计从2038年开始，HBF的需求规模将超过HBM。
目前，三星电子、SK海力士与闪迪等全球企业正加快HBF的开发进程。
金教授觉得，韩国企业处于更优势的地位。原因在于闪迪只专注于NAND闪存这一块业务，而三星电子与SK海力士不仅拥有HBM技术，还具备先进的封装能力。
他称：“在未来10到20年的结构性变革进程里，韩国有能力引领AI计算机领域的发展，而HBF正是这一发展的核心支柱。”
据悉，SK海力士正以明年量产为目标开发HBF。
金教授总结称：“HBF的制程和当前HBM制程非常相近，所以最终会演变成一场技术速度的比拼。而要达成全面商业化，哪些服务会应用它将是核心所在。”他认为，在HBM之后，韩国内存厂商也得在HBF领域把握主动权，避免在AI市场里失去影响力，一个以内存为核心的AI时代正逐步到来。
