据外媒消息，中国有一家秘密实验室已悄悄组装出首台EUV极紫外光刻系统原型机，该原型机是通过对ASML现有光刻机产品进行逆向工程研发而成，目前正处于秘密测试阶段，计划在2028年试产原型芯片。
有消息透露，这款EUV光刻机原型机于2025年初在深圳一座安保措施严密的设施里完成组装，其体积几乎占据了整个厂房空间。
这台光刻机既未采用清华大学研发的基于粒子加速器的稳态微聚束（SSMB）技术，也未使用哈尔滨工业大学开发的放电等离子体（DPP）技术，而是采用了与ASML Twinscan NXE系列光刻机相同的激光等离子体（LPP）技术，该技术能够产生波长为13.5纳米的极紫外光。
报道提到，中国研发的EUV光刻机在尺寸上比ASML的同类设备大不少，不过它已经拥有了极紫外光的产生能力，只是还没能生产出可以实际使用的芯片。这支负责研发中国EUV光刻机的团队成员构成比较多元，既有曾在ASML工作过的工程师，也有刚毕业的大学生；他们不仅招募了ASML中国分公司的前员工，还吸收了ASML在美国、欧洲以及中国台湾地区的前雇员。
关键瓶颈在于，中国目前还没办法复制出ASML那样的高精度光学系统，就连把极紫外光准确投射到晶圆上都做不到，更不用说完成光刻成像了。
