12月2日消息，EUV技术对于5nm以下的先进工艺而言已成为不可或缺的关键，目前全球范围内具备EUV光刻机生产能力的企业仅有荷兰的ASML一家。与此同时，美国也在该领域持续加码投入，其官方机构更是直接参与投资了一家相关的初创企业。
有一家名为xLight的公司，其目标是研发新一代EUV光源。与ASML公司所采用的复杂等离子体技术光刻不同，xLight致力于开发以自由电子激光器FEL作为光源的EUV光刻系统，该系统的原型预计在2028年推出。
该公司在今年7月已获得4000万美元的投资，近期又得到了美国商务部下属CHIPS研究与开发办公室（CRDO）提供的1.5亿美元投资。
美国商务部长表示，xLight的FEL平台是一项突破性创新成果，它将助力美国重塑相关领域的领先地位，保障供应链的稳定，并推动下一代半导体技术在美国落地生根。
值得一提的是，xLight公司的CEO是前Intel CEO基辛格，他此前也曾谈及这款FEL激光器的重要意义，着重指出，复兴摩尔定律并重塑美国在光源技术领域的领先地位，是一代人仅遇一次的契机；在联邦政府的支持下，xLight将把这一机遇转化为实际成果。
xLight公司的FEL激光器具备显著优势，其功率远超当前的EUV光刻机，能够达到1000W；相比之下，ASML的EUV光源功率处于250W水平，也就是说在这一指标上，xLight的FEL激光器是当前EUV光刻机的4倍。不仅如此，从未来的规划PPT来看，该激光器甚至有望实现2000W的功率。
这样的功率水平，不仅能显著提高EUV技术生产芯片的效率，还能让一套FEL光源同时为多台光刻机提供服务，加之其长达30年的使用寿命，能大幅削减芯片光刻环节的成本支出。
若结合不久前美国另一家EUV光源企业Substrate获得投资的消息来看，能发现美国确实有意在下一代EUV技术领域重夺领导地位——尽管当下EUV光刻机所采用的光源技术同样来自美国公司Cymer，只是该公司已被ASML收购。
这两家公司，一家采用X光技术路线，另一家则是自由激光技术路线，其实和国内此前热议的光刻机厂商情况类似——技术层面确实有不少优势，比如精度较高或是功率较大，但工程化方面的难题始终难以攻克。目前来看，ASML的EUV依旧是可实现量产的最优技术路线。
